Grafeeni küpsetamine pakub uusi võimalusi
 Toimetas Jaan-Juhan Oidermaa Saksa teadlased on valmistanud ränikarbiidi kuumutades täielikult grafeenist koosneva transistori, mis demonstreerib võimalust grafeeni potentsiaali ja suurepäraseid elektrilisi omadusi elektroonikatööstuses täielikult ära kasutada ning pikemas perspektiivis räni troonilt tõugata.   Alates üksikute grafeenilehtede isoleerimisest 2004. aastal on selle omadusi elektroonikatööstuses püütud väsimatult ära kasutada. Ühekihiline süsiniku aatomite kiht võimaldab elektrilaenguid transportida tänapäeval rakendust leidvates materjalidest kordades kiiremini. Seega kasutakse seda juba praegu näiteks päikesepatareides elektroodidena ning lähiajal jõuab grafeen ka nutitelefonidesse. Märkimisväärsed omadused võimaldaksid lahendada ka kasvava arvutusvõimsuse näljaga seotud probleemid. Arvutuskiiruse kasvatamises nähakse lahendust transistorite kahandamises, ent grafeeni puhul poleks suurus enam probleem.   Siiski ei ole see veel suuteline räni asendama. Nii ei  ole teadlased leidnud viisi, kuidas seda täielikult pooljuhina käituma panna. See on nõudnud alati kompromissi, millega on kaasnenud grafeeni elektriliste omaduste halvenemine. Samuti on puudunud võimalus grafeenilehtedele samast materjalidest kontakte lisada. Viimased on vajalikud elektriliste signaalide või laengute transistorisse ning sealt välja toimetamiseks. Metallkontaktide kasutamine lõppeb tihti selle kahjustumisega, mis muudab samas transistorite masstootmise võimatuks.   Üleeelmisel aastal teatas aga rühm materjaliteadlasi, et teatud süsinikühendi – ränikarbiidi – kuumutamisel tõrjutakse selle pealmisest kihist räni välja. Alles jääb ainult süsinik, juba grafeeni kujul. Uues uurimuses nähakse täielikult grafeenist koosneva transistori valmistamises lahendust just selles protsessis. Lisaks võttis töörühm appi kõrge energiaga aatomite kiire, millega ränikarbiidi transistori toimimiseks vajalikud kanalid graveeriti. Viimaks kasutati väheses koguses vesinikku, millest sõltus, kuidas grafeenikiht selle all asuva ränikarbiidiga end keemiliselt sidus.   Sõltuvalt graveeritud kanalitest võimaldas see soovitud piirkonnad pooljuhiks muuta. Töörühm demonstreeris ka omaloodud transistori toimimist ehk selle välja- ja sisselülitamist. Probleeme ei esinenud ka megahertsisel sagedusel. Tasub märkida, et uurimuse eesmärgina ei nähtud kõrgsagedusega transistori loomist. Seega kujutab see endas ühte potentsiaalset võimalust räni viimaks elektroonikatööstuses viimaks troonilt tõugata.   Töörühma uurimus ilmus ajakirjasNature Communications. 
