Uued transistorid: asendus ränile ja grafeenist paremad
Väiksemaid ja energiasäästlikke elektroonilisi kiipe on võimalik toota molübdeniiti kasutades. Ajakirja Nature Nanotechnology võrguväljaandes avaldatud Šveitsis asuva Lausannei polütehnilise instituudi teadlaste uuring näitab, et molübdeniidil on praegu elektrooniliste rakenduste juures kasutatava räni ja grafeeniga võrreldes selge eelis. Avastus võib olla oluline uute väiksemate ja energiasäästlike transistorite loomiseks. Teadlaste uuring näitas, et molübdeniit (MoS2) on väga efektiivne pooljuht. Molübdeniiti leidub looduses mineraalina külluslikult ning seda kasutatakse sageli rauasulamites ja määrdeainete lisandina. Molübdeniidi kasutamisvõimalusi elektroonikas pole tänaseni veel põhjalikult uuritud.100 000 korda vähem energiat Molübdeniit on äärmiselt õhuke ning nanotehnoloogias kergesti kasutatav. Uuringu ühe autori Andras Kisi sõnul on sellel suur potentsiaal väga väikeste transistorite, LED valgustite ja päikeseelementide tootmiseks. Kis võrdleb selle eeliseid praegu elektroonikas ja arvutite kiipide tootmisel kasutatava peamise koostisosa räni ning grafeeniga. Grafeeni avastasid 2004. aastal Andre Geim ja Konstantin Novoselov ning mullu pälvisid nad selle eest Nobeli füüsikapreemia. Grafeen on ainult süsiniku aatomitest koosnev ühe aatomi paksune, milles süsiniku aatomid on heksagonaalselt pakitud kärjekujulisse raamistikku. Molübdeniidi üheks eeliseks on, et see on kolmemõõtmelisest ränist vähem mahukas. Kis seletas, et 0,65 nanomeetri paksuses molübdeniidi kihis on elektronidel võimalik liikuda sama vabalt kui 2 nanomeetrilise läbimõõduga räni kihis. Praegu ei ole võimalik monokihilise molübdeniidiga sama õhukest ränikihti toota. Molübdeniidi teiseks eeliseks on see, et seda saab kasutada transistorite loomiseks, mis tarbiksid uinunud olekus praeguste ränitransistoritega võrreldes 100 000 korda vähem energiat.Parem kui grafeen Tahke keha füüsikas on sagedusribad üheks viisiks, kuidas materjalis leiduvate elektronide energiat kirjeldada. Pooljuhtides asub elektronidevaba ruum nende sagedusribade vahel. Kui see tühimik ei ole liiga väike või liiga suur, siis suudavad teatud elektronid selle ületada. See võimaldab materjali elektrilist käitumist paremini kontrollida. Sellise tühimiku olemasolu molübdeniidis annab grafeeniga võrreldes selged eelised.Praegu paljude teadlaste poolt elektroonika tulevikumaterjaliks peetavas grafeenis selline tühimik puudub ning tehislikult on seda materjalis väga raske saavutada.
